Semiconductor device 에서 많이 이용하는 Schottky Contact & Ohmic Contact은 Semiconductor와 Metal간의 접합(junction) 혹은 접촉(contact)이 이루어졌을 때 생기는 barrier (electron이 느끼는 장벽)에 대한 이야기이다 。
두 접합의 차이점을 간단하게 말하자면,
- Schottky contact은 Work function이 더 큰 Metal과 N- 또는 P-typr의 Semicondoctor가 접합할 경우, 그 경계에서 barrier가 발생하여, forward 또는 reverse bias가 인가되었을 시에, 한쪽 방향으로 전류가 흘렀다가 일정 voltage에서 OFF되는 것이다.
이 접합의 장점은 switching속도가 빠르고, threshold voltage(문턱전압)이 낮아서, 열 발생이 적고, 또한 다수 캐리어의 흐름이므로 소수 캐리어에 의한 축적 현상이 없다.
- Ohmic contact은 N- 또는 P-typr의 Semicondoctor의 doping 농도를 높게 하여 Metal과 경계의 barrier 폭을 크게 낮추어 주어 electron들이 tunneling할 수 있도록 만든 것이다. 이 때에는 tunneling에 의해서 전류가 흐르므로 bias 방향에 관계없이 양쪽 방향으로 동일한 전류가 흐른다.
첨부 자료
Schottky Contact & Ohmic Contact을 그래프와 수식과 함께 설명한 것을 정리한 것 。
http://www.ee.byu.edu/cleanroom/ohmic-schottky.phtml <-- 이 사이트는
"Metal-Semiconductor Ohmic and Schottky Contacts" 에 대한 background 지식과 Metal-Semiconductor Barrier Height Calculator, Metal-Semiconductor Junction Depletion Layer Width Calculator가 제공되어 Metal과 Semiconductor의 종류를 선택하여 계산할 수 있고, Metal-Semiconductor Rectifying Contact Tutorial이 제공되어, 플래시로 공부를 할 수 있다. (누가 만들었는지 멋지다 ^^)
출처 : 네이버 지식 IN, 구글 검색
http://blog.naver.com/youn_mee?Redirect=Log&logNo=50043641438
같이 볼 것 : Schottky Barrier
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