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2010.01.25 21:50

BOE, Silox 에칭 테스트 과정

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Substrate : SiO2

 

1. HMDS, 4000rpm

2. Photo AZ5214, 4000rpm, 90℃ 1min bake

3. Cr Mask -> 8 sec

4. MIF  500 -> 1min

5. DI Rinse

6. BOE, silox etching

7. DI Rinse ( > 1min)

8. Remove PR by Aceton (> 20min)

 

Etch rate : 100nm / min

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  1. No Image notice by 모아레 2011/02/07 by 모아레
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