코팅
EL11 먼저 A4 나중
둘다 4000rpm돌린 후 5분간 bake
그게 끝(용액 담그거나 하는거 없음)
SEM
E-beam litho 열심히 하셈.
패러데이컵 WD 4일때 잘보이도록 위치조정.
떠있는구조 볼때엔 최대한 낮춘뒤 넣고 HV후 조금 더 올려서 볼 것.
넣을 때 최대한 똑바로 넣도록!
pc바꾸면서 beam current측정 -> direct stage control 포인트 4개
-> 왼쪽 위 구석으로 옮겨놓은 후 runfile editor로 위치 수정, current와 dose 수정
-> runfile process 실행 과정 -> 끝난 후 12도로 맞춘 MIBK : IPA = 1 : 5 용액에 30~35초 담그고 IPA에 살짝 5~10초
-> microscope로 확인
다른 것 정리해놓은건 오른쪽 컴퓨터 내폴더에 txt로 저장해둠.
Evaporator
매뉴얼 참고
끝난 후 아세톤에 담궈둠. 마지막에 아세톤과 IPA로 마무리.
GaAs 기판의 경우
시트릭에시드 5 : H2O2 1 비율로 섞은 용액 준비
디벨럽, 코팅 끝난 샘플 준비
샘플을 용액에 넣고 스티어러로 15분간 젓는다.
위 용액이 GaAs를 깎아서 서스펜디드 구조를 만들게 됨.
알아두어야 할 것은 아이소트로픽하게 깎는다는 것.
마지막에 CPD로 말린다.
CPD로 말리는 이유는 그냥말리면 입자의 표면장력에 의해 샘플에 손상이 생길 수 있어서
LCO2 이용(Liquid CO2)
